КС1НТ251
| Коэффициент : | передачи тока: >10 |
|---|
| Напряжение : | насыщения коллектор-эмиттер: <2 В |
|---|
| Напряжение : | насыщения база-эмиттер: < 2,5 В |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: <20 мкА |
|---|
| Ток : | эмиттера обратный: <20 мкА |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: <15 пФ |
|---|
| Емкость : | эмиттерного перехода: <50 пФ |
|---|
| Время : | рассасывания: 200 нс |
|---|
| Корпус : | CDIP-14 |
|---|
КС1НТ251 - микросхема содержит 4 кремниевых
эпитаксиально-планарных транзистора структуры N-P-N, выполненных
на одном кристалле, предназначенных для коммутации цепей в
радиоэлектронной аппаратуре.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (kc1nt251_.pdf) |
|
