Емкость :	общая: не более 0,12 пФ
Сопротивление :	потерь прямое: не более 1,5 Ом
Частота :	критическая: не менее 300 ГГц
Заряд :	накопленный: не более 0,3 нКл
Напряжение :	пробивное: не менее 50 В
Напряжение :	прямое: не более 0,9 В
Индуктивность :	0,16 нГн
Время :	обратного восстановления: не более 0,2 нс
Напряжение :	постоянное обратное: не более 30 В
Напряжение :	импульсное обратное: не более 40 В
Ток :	постоянный прямой: не более 20 мА
Мощность :	импульсная рассеиваемая: не более 400 мВт
Диапазон рабочих частот :	0,3-18 ГГц
Рабочая температура :	-60...+125°С
Минимальная наработка :	30000 ч
Срок сохраняемости :	25 лет
Вес :	0,03 г

Диоды 2А547В-3 кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа
p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового и
дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту
приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов,
инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении без кристаллодержателя с
балочными выводами, диоды 2А547Д-3,2А547Е-3 поставляются во
фрагментах (блоках) для последующей резки их на отдельные диоды у
потребителя.
Тип диода приводится на этикетке.

Смотрите справочные данные <== ТУТ (2a547.pdf)